钨靶材经常作为物理气相沉积用溅射靶材，在半导体领域用于制作栅电极、连接布线、扩散阻挡层等。钨靶材主要应用于航天、稀土冶炼、电光源、化工设备、医疗器械、冶金机械、熔炼设备、石油、等领域。
其中，纯钨靶材主要用作金属层间的通孔和垂直接触的接触孔的填充物，即钨塞。而钨合金靶材，如WSi2，主要用在栅极多晶硅的上部作为多晶硅硅化物结构和局部互联线。随着半导体芯片尺寸越来越小，铜互连尺寸的缩小导致纳米尺度上电阻率的增加，这已成为制约半导体工业发展的一个技术瓶颈。有研究表明，难熔金属钨有望取代铜成为下一代的半导体布线金属材料。
钨靶材的特点：
喷涂、烧结后的钨靶,具有99%的密度甚至更高、平均透明纹理的直径为100um甚至更小、含氧20ppm或更少，偏转角力为500Mpa左右的特性；提高未加工金属粉末的生产，提高烧结的能力，可以使钨靶的成本稳定在一个低价位。烧结后的钨靶密度高，具有传统的压制烧结方法所无法达到的高水准的透明框架，并且明显改善了偏转角力，以致颗粒物显著的减少。
钨靶材的物理性质：
元素符号：
原子序数：
钨有两种变型，α和β。在标准温度和常压下，α型是稳定的体心立方结构。β型钨只有在有氧存在的条件下才能出现。它在630以下是稳定的，在630以上又转化为α钨，并且这一过程是不可逆的。
纯度：钨99.95%以上
密度：19.35g/cm3
表面状态：磨光或碱洗
